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HGT1S10N120BNST_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V富芯樂電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
HGT1S10N120BNST
- 功能描述:
IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市富芯樂電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機:
15919825718
- 詢價:
- 電話:
15919825718
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層1號10B15
相近型號
- HGT1S2N120CN
- HGQ022N03A
- HGT1S7N60A4DS
- HGQ01N04A-G
- HGT1S7N60A4DS9A
- HGQ018N03A
- HGQ014N04B-G
- HGQ014N04A-G
- HGT5A40N60A4D
- HGTD10N40F1
- HGQ011N03A-G
- HGTD10N40F1S
- HGP210N20S
- HGTD10N50F1
- HGP-12A
- HGP098N10AL
- HGTD10N50F1S
- HGTD1N120BNS9A
- HGP057N15S
- HGP040N06SL
- HGTD7N60C3S
- HGP029N06SL
- HGTG10N120BND
- HGTG11N120
- HGP028NE6A
- HGP018N04A
- HGTG11N120CND
- HGTG12N60A4D
- HGN320N20S
- HGTG18N120BN
- HGN190N15S
- HGN042N10S
- HGTG18N120BND
- HGN028NE6A
- HGTG20N100D2
- HGTG20N120
- HGM45-63
- HGTG20N120CND
- HGM230N10AL
- HGLXP610SE
- HGTG20N120E2
- HGLXP604SE
- HGTG20N60A4
- HGLD808-200
- HGTG20N60A4D
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- HGTG20N60C3
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