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HGTG20N60C3D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG20N60C3D
廠商型號(hào)

HGTG20N60C3D

參數(shù)屬性

HGTG20N60C3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 164W TO247

功能描述

45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

絲印標(biāo)識(shí)

G20N60C3D

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

123.08 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 11:26:00

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HGTG20N60C3D規(guī)格書詳情

The HGTG20N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is development type TA49178. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060 (TA49063).

Features

? 45A, 600V, TC= 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ= 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG20N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    500μJ(開),500μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    28ns/151ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 164W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
仙僮
TO-247
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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