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HGTP10N120BN 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

HGTP10N120BN參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTP10N120BN

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    942

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-5-10 14:48:00

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原廠料號：HGTP10N120BN品牌：onsemi(安森美)

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HGTP10N120BN是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的HGTP10N120BN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTP10N120BN

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    81.67 kb

  • 資料說明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTP10N120BN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    320μJ（開），800μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/165ns

  • 測試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    高捷芯城-敏敏

  • 手機：

    13378405761

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

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