HGTP12N60C3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
HGTP12N60C3
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ON/安森美
庫存數(shù)量：
180
產(chǎn)品封裝：
TO-220
生產(chǎn)批號：
2410+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-2-12 9:14:00

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原廠料號：HGTP12N60C3品牌：ON/安森美

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HGTP12N60C3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的HGTP12N60C3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
HGTP12N60C3
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INTERSIL詳情
廠商全稱：
Intersil Corporation
內(nèi)容頁數(shù)：
6 頁
文件大小：
119.57 kb
資料說明：
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
HGTP12N60C3
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，12A
開關能量：
380μJ（開），900μJ（關）
輸入類型：
標準
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 24A 104W TO220AB

供應商

企業(yè)：
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13751179224
詢價：
電話：
0755-82561519/0755-82567969/18928435545
傳真：
0755-82561519
地址：
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室

HGTP12N60C3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

HGTP12N60C3

產(chǎn)品屬性

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