| 零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-5.1A) Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL | IRF International Rectifier | IRF | ||
P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowerRDS(ON) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體 | Samsung | ||
HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surfacemount(IRFR9014,SiHFR9014) ?Straightlead(IRFU9014,SiHFU9014) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
P-ChannelEnhancementModeMOSFETl Features *Vos=60V=-13A Rosion100mQ@Ves=10V Rosion110mQ@Vos=-4.5V(TYP) | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）_低噪放大 （ra）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-20
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHISEMIC |
05+ |
原廠原裝 |
9270 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
65200 |
詢價(jià) | ||||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
Renesas |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
114 |
進(jìn)口原裝,訂貨渠道! |
詢價(jià) | ||
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
3750 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
HITACHI |
24+ |
TO-92 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
HITACHI |
23+24 |
TO-92 |
29850 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)渠道價(jià)格合理.可開13%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
HIT |
14+ |
TO92L |
2500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) |
