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IRFP064N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP064N

類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：55V連續(xù)漏極電流(Id)：110A功率(Pd)：200W導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN溝道,55V,110A,8mΩ@10V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司

IRFP064N

N-ChannelMOSFET

Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrial applicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseof TO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortothe earlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmounting hole. AdvancedProcessTechnology UltraLow

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

IRFP064NPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP064NPBF

ULTRALOWONRESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRFP064NPBF

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP064PBF

HEXFETPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels

IRF

International Rectifier

IRFP064PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP064PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP064PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多IK064DW供應商 更新時間2025-4-26 14:56:00

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