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IMT65R083M1H分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IMT65R083M1H
廠商型號

IMT65R083M1H
參數屬性

IMT65R083M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個；產品描述：SILICON CARBIDE MOSFET
功能描述

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET
絲印標識

65R083M1
封裝外殼

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN
文件大小

1.43006 Mbytes
頁面數量

15 頁
生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-16 11:09:00

IMT65R083M1H規(guī)格書詳情

IMT65R083M1H屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產的IMT65R083M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Optimized switching behavior at higher currents

? Commutation robust fast body diode with low Qf

? Superior gate oxide reliability

? Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

? Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

? Increased avalanche capability

? Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

? Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

產品屬性

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  • 產品編號：

    IMT65R083M1HXUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    CoolSiC?

  • 包裝：

    管件

  • 技術：

    SiC（碳化硅結晶體管）

  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    18V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝：

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼：

    8-PowerSFN

  • 描述：

    SILICON CARBIDE MOSFET

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