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IMZA120R007M1H

Marking：12M1H007；Package：PG-TO247-4-STD-T3.7；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=225AatTvj=25°C ?RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied ?Robustbodydiodefor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW120R007M1H

CoolSiC??1200VSiCTrenchMOSFET:siliconcarbideMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=225AatTvj=25°C ?RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied ?Robustbodydiodefor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IMZA120R007M1H供應商 更新時間2025-5-20 14:10:00

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