CRTS084N08N，這是華潤微電子（CRMICRO）生產(chǎn)的一款 N 溝道場效應 MOSFET。以下是其產(chǎn)品說明：
基本參數(shù)
漏源電壓（VDS）：80V。
漏極電流（ID）：110A。
導通電阻（RDS (on)）：典型值 6mΩ，最大值 7.5mΩ（TJ = 25℃）；典型值 11.4mΩ，最大值 14mΩ（TJ = 150℃）。
柵源閾值電壓（VGS (th)）：2.4 - 3.6V。
輸入電容（Ciss）：6533pF。
輸出電容（Coss）：338pF。
反向傳輸電容（Crss）：165pF。
總柵極電荷（QG）：119nC。
產(chǎn)品特點
采用先進技術(shù)：運用 CRM（CQ）先進的溝槽技術(shù)，具有極低的導通電阻，有助于降低導通損耗，提高效率。
具備多種保護特性：有良好的熱穩(wěn)定性，熱阻參數(shù)為結(jié) - 殼熱阻（RthJC）0.73℃/W，結(jié) - 環(huán)境熱阻（RthJA）91℃/W（最小封裝尺寸），能夠承受較高的溫度，可適應多種工作環(huán)境。
應用領(lǐng)域
電機控制和驅(qū)動：可用于各類電機的驅(qū)動電路，通過對 MOSFET 的開關(guān)控制，實現(xiàn)對電機的速度、轉(zhuǎn)向等精確控制。
不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)中，用于功率轉(zhuǎn)換和電源管理，確保在停電等情況下能夠穩(wěn)定地為負載提供電力。
該器件采用 TO - 263 封裝，安裝類型為插件式。
