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IPD60R600E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IPD60R600E6 |
功能描述 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
文件大小 |
1.22433 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-29 12:01:00 |
人工找貨 | IPD60R600E6價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IPD60R600E6
- 功能描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO252 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2022+ |
TO-252 |
57550 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
原廠封裝 |
1000 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
3000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) |