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FDB029N06

N-ChannelPowerTrench?MOSFET60V,193A,3.1mW

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?RDS(on)=2.4m?(Typ.)@VGS=10V,ID=75A ?FastSwitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IIPP029N06N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA029N06N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA029N06N

Superiorthermalresistance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI029N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI029N06N

OptiMOSTMPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多IPP029N06NIC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 11:43:00

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