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IRF630

FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF630

N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF630

N-channelTrenchMOStransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF630

FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IRF630

N-ChannelPowerMosfets

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF630

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF630

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF630A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.333Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF630A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed ?LowDriveRequirement APPLICATIONS ?Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFET designedespecia

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF630B

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRC630

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
17+
TO-2205-PIN(HEXSENSE
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
06+
原廠原裝
351
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
IR
2016+
TO-220-5
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
24+
TO-2205-Pin(HEXSen
8866
詢價
IR
23+
TO-2205-Pin(
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-220-5
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-220-5L
65480
詢價
IR
2020+
TO-220-
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
IR
24+
TO-220-5
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
更多IRC630供應商 更新時間2025-4-9 14:00:00

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