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IRF630M

N-channel200V-0.35廓-9A-TO-220/TO-220FPMeshOverlay??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF630MFP

N-CHANNEL200V-0.35W-9ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAYMOSFET

Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources.IsolatedTO-220optionsimplifiesassemblyandcutsriskofaccidentalsh

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF630MFP

N-channel200V-0.35廓-9A-TO-220/TO-220FPMeshOverlay??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRF630MFP

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm ?175°COperatingTemperature ?DynamicdV/dtRating ?LowThermalResistance ?Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRF630N

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A)

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRF

International Rectifier

IRF630N

N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30?

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF630N

PowerMOSFET

TEL

TRANSYS Electronics Limited

IRF630N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.3? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableop

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF630N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF630N

FastSwitchingSpeed

DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRC630

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
17+
TO-2205-PIN(HEXSENSE
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
IR
06+
原廠原裝
351
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-220-5
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
24+
TO-2205-Pin(HEXSen
8866
詢價(jià)
IR
23+
TO-2205-Pin(
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220-5
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220-5L
65480
詢價(jià)
IR
2020+
TO-220-
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220-5
16800
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?
 詢價(jià)
更多IRC630供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-31 14:01:00

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