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IRF430中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF430
廠商型號

IRF430

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00

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IRF430規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDs(on) at high voltage

? Improved inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capactiance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliablitiy

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF430

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 500V 4.5A 2PIN TO-204AA - Bulk

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    HEXFET, HI-REL - Bulk

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-3

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-3

  • 功能描述:

    N CH MOSFET, 500V, 4.5A, TO-204AA; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    4.5A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    500V; On Resistance

  • Rds(on):

    1.5ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

  • 制造商:

    Int'L Rectifier

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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