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IRF432中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF432
廠商型號

IRF432

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00

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IRF432規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDs(on) at high voltage

? Improved inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capactiance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliablitiy

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF432

  • 制造商:

    Vishay Angstrohm

  • TRANSISTOR:

    POWER FET(>1W)

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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24+
TO-3
20000
全新原廠原裝,進口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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TO-204AA(TO-3)
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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TO
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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23+
TO-3
7000
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