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IRF520SPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF520V

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF520VL

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF520VLPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF520VPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF520VS

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF520VSPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI520A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFI520A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFI520G

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF520SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
24+
D2PAK
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
24+
TO-263-3
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
VIS
23+
D2PAK
7000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
D2PAK
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
2447
TO-263-3
315000
1000個(gè)/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價(jià)
VISHAY
1809+
TO-263
3675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
2021+
TO-263-3
499
詢價(jià)
VB
21+
D2PAK
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IRF520SPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-15 15:04:00

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