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IRF610B中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF610B
廠商型號(hào)

IRF610B

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

866.99 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 23:00:00

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IRF610B規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

? 3.3A, 200V, RDS(on)= 1.5?@VGS= 10 V

? Low gate charge ( typical 7.2 nC)

? Low Crss ( typical 6.8 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF610B

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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