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IRF640S中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF640S
廠商型號

IRF640S

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

文件大小

84.23 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 9:30:00

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IRF640S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY?process. This technology matches and improves the performances compared with

standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on)= 0.150?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF640S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
22+
TO263
30000
只做原裝正品
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ST/意法
06+
TO-263
15
深圳原裝進口現(xiàn)貨
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TO263
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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