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IRF640S中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF640S
廠商型號(hào)

IRF640S

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

95.09 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-18 10:18:00

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IRF640S規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.

The IRF640 is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The IRF640S is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Low thermal resistance

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF640S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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