IRF9Z24中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
![IRF9Z24](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠(chǎng)商型號(hào) |
IRF9Z24 |
功能描述 | P-CHANNEL POWER MOSFETs |
文件大小 |
287.18 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Samsung semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Samsung【三星】 |
中文名稱(chēng) | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-12 22:58:00 |
IRF9Z24規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
? Lower RDS(ON)
? Improved inductive ruggedness
? Fast switching times
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Lower input capacitance
? Extended safe operating area
? Improved high tmeperature reliability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF9Z24
- 功能描述:
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO 220 |
160872 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220AB |
10000 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
DIP |
30617 |
一級(jí)代理全新原裝熱賣(mài) |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHILD |
NA |
8560 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票 |
詢(xún)價(jià) |
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