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IRFD224中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFD224
廠商型號(hào)

IRFD224
功能描述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
文件大小

467.81 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 17:10:00
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IRFD224規(guī)格書(shū)詳情

VDSS = 250V

RDS(on) = 1.1?

ID = 0.63A

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low onresistance and cost-effectiveness. The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 watt.

● Dynamic dv/dt Rating

● Repetitive Avalanche Rated

● For Automatic Insertion

● End Stackable

● Fast Switching

● Ease of paralleling

● Simple Drive Requirements

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFD224

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
20+
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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Vishay Siliconix
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4DIP
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原裝正品，支持實(shí)單
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原裝正品,假一罰十
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