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IRFD224	文件：467.81 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1? ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD224	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD224	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD224_V01	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?ForautomaticInsertion ?Endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD224PBF	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD224PBF	文件：918.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 250V , RDS(on) = 1.1廓 , ID = 0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1? ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD224PBF	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFM224B	文件：705.97 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR224	文件：175.21 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR224	文件：853.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFD224
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRFD224	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	7816	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
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齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFD224	IR	23+	DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD224	IOR	24+	DIP-4P	52		詢價(jià)
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