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IRFD9210PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFD9210PBF
廠商型號(hào)

IRFD9210PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

1.75197 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 13:00:00

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IRFD9210PBF規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? P-Channel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD9210PBF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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