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IRFF130中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFF130
廠商型號

IRFF130

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

文件大小

161.62 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-20 17:11:00

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IRFF130規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

7.0A and 8.0A, 60V-100V rDS(on) = 0.18 Ω and 0.25 Ω

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFF130

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 3PIN TO-39 - Bulk

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    HEXFET, HI-REL - Bulk

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET 100V 8A TO-

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-39

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-39

  • 功能描述:

    Single N-Channel 100 V 25 W 28.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    8A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    100V; On Resistance

  • Rds(on):

    180mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

  • 制造商:

    IR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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