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IRFI740GLCPBF

HEXFET? Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th

IRF

International Rectifier

IRFI740GLCPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI740GLCPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFI740GPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI740GPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?SinktoLeadCr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFS740

N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

IRFS740

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFS740

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFS740A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ■LowerRDS(ON):0.437Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRFS740A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IRFI740GLCPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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更多IRFI740GLCPBF供應商 更新時間2025-5-18 14:14:00

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