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IRFR1010ZTRR中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRFR1010ZTRR |
功能描述 | Advanced Process Technology |
文件大小 |
4.60477 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
KERSEMI |
中文名稱(chēng) | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-28 19:08:00 |
人工找貨 | IRFR1010ZTRR價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFR1010ZTRR
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- RoHS:
是
- 類(lèi)別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
18+ |
DPAK |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252-3 |
8866 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-252 |
17525 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13點(diǎn)稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-252 |
74946 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠; |
詢(xún)價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) |