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IRFZ24NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFZ24NS
廠(chǎng)商型號(hào)

IRFZ24NS
功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
文件大小

159.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 20:00:00
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IRFZ24NS規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRFZ24NS)

? Low-profile through-hole (IRFZ24NL)

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFZ24NS

  • 制造商：

    International Rectifier

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

  • 功能描述：

    MOSFET N D2-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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