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IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F-STRLP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRG4BC30FD-SPBF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
24+
TO-263
200
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-263
653
詢(xún)價(jià)
IR
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Infineon
24+
NA
3045
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IR
2018+
TO263
6528
承若只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!
 詢(xún)價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IR
21+
TO263
12588
原裝現(xiàn)貨,量大可定
 詢(xún)價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
2447
SMD
100500
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
1809+
TO-263
1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢(xún)價(jià)
更多IRG4BC30FD-SPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-20 16:36:00

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