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IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-SPBF_15	文件：376.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KS	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRG4BC30KD-S
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT D2-PAK

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