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IRLL014NTR

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRLL014NTRPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRLL014NTRPBF-TP

Marking：LL014N；Package：SOT223；‘N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Ros=B5TIQ.@Vis=10V. Reson=10070@Vos=45V. 1HighdensecedesignforextremelylowRosco Ruggedandreat. Leadreproductsacquired 507.223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

IRLL014NTRPBF

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRLL014PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLL014PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLL014PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLL014TR

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLL014TRA

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLL014TRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRLL014NTR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
SOT-223
7700
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢價(jià)
IR
06+
原廠原裝
5393
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
17+
SOT-223
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IOR
24+
SOT223
2987
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!
 詢價(jià)
IR
23+
SOT-223
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IR
24+
SOT-223
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
SOT-223
2500
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
 詢價(jià)
IR
1709+
SOT-223
32500
普通
 詢價(jià)
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
2447
SOT-223-3
105000
2500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
SOT-223
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
更多IRLL014NTR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-24 16:30:00

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