IRLR2905Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR2905Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Logic Level
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產品屬性
- 型號：
IRLR2905Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR/國際整流器 |
23+ |
TO-252-2 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務型企業(yè) |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-252 |
12000 |
VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
DPAK |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-252 |
9600 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 |
