首頁(yè)>IRLZ34S>規(guī)格書詳情

IRLZ34S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLZ34S
廠商型號(hào)

IRLZ34S

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

363.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-3-15 20:00:00

人工找貨

IRLZ34S價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

IRLZ34S規(guī)格書詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRLZ34S)

Low-profile through-hole (IRLZ34L)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLZ34S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 30 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
3637
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
IR
02+
TO-263
387
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
VISHAY/威世
2119+
TO-263
1500
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
35890
詢價(jià)
IR
2022
TO-263
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
詢價(jià)
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
VISHAY
24+
TO-263
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
VISHAY
24+
TO-263
56000
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
詢價(jià)
IR
22+
TO-263
8900
英瑞芯只做原裝正品!!!
詢價(jià)
Vishay Siliconix
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)