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IRS2011SPBF集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IRS2011SPBF
廠商型號

IRS2011SPBF

參數(shù)屬性

IRS2011SPBF 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

High and Low Side Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

1.22551 Mbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 8:24:00

IRS2011SPBF規(guī)格書詳情

IRS2011SPBF屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2011SPBF柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The IRS2011 is a high power, high speed power MOSFET driver with independent high and low side referenced output channels. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET in the high side configuration which operates up to 200 volts. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

Features

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Fully operational to 200V

? Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 to 20V

? Independent low and high side channels

? Input logic HIN/LIN active high

? Undervoltage lockout for both channels

? 3.3V and 5V logic compatible

? CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

? Matched propagation delay for both channels

Applications

? Converters

? DC motor drive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IRS2011SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,1A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    25ns,15ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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