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ISB3043

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=750(Min)@IC=6A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforaudioandgeneralpurposeapplications.

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更多ISB3043供應(yīng)商 更新時間2025-5-20 10:35:00