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IXFH10N90

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFH10N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

10N90

SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

10N90

10A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

10N90

10Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

AOK10N90

900V,10AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOK10N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOTF10N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOTF10N90

900V,10AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

HFA10N90Z

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFH10N90

  • 功能描述：

    MOSFET 10 Amps 900V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多IXFH10N90供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 15:12:00

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