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IXGT25N250

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGT25N250HV

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO

IXYS

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IXGT25N250-T/R

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IXGT25N250

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IXBX25N250

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerator ?CapacitorDischar

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IXGF25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXGH25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXGV25N250S

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXYH25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

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IXYT25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXGT25N250

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價
24+
N/A
53000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
IXYS
25+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
IXYS
24+
TO-268
8866
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IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IXYS
1931+
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IXYS
1809+
TO-268
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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IXYS
22+
NA
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 詢價
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多IXGT25N250供應(yīng)商 更新時間2025-5-14 17:49:00

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