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IXST15N120BD1

S Series - Improved SCSOA Capability

HIGHVoltageIGBTwithDiode SSeries-ImprovedSCSOACapability Features ?HighBlockingVoltage ?EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses ?MOSgateturn-onfordrivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclas

IXYS

IXYS Corporation

IXGH15N120BD1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 ?IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM

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IXYS Corporation

IXGT15N120BD1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode

Features ?Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 ?IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM

IXYS

IXYS Corporation

IXSH15N120BD1

SSeries-ImprovedSCSOACapability

HIGHVoltageIGBTwithDiode SSeries-ImprovedSCSOACapability Features ?HighBlockingVoltage ?EpitaxialSilicondriftregion -fastswitching -smalltailcurrent -lowswitchinglosses ?MOSgateturn-onfordrivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclas

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詳細參數

  • 型號：

    IXST15N120BD1

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價
IXYS
23+
TO-268
10710
全新原裝
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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22+
TO268
9000
原廠渠道,現貨配單
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IXYS
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TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
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IXYS
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TO268
9000
原裝正品，支持實單
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IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS
25+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
32322
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
 詢價
更多IXST15N120BD1供應商 更新時間2025-5-17 15:30:00

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