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TK20E60W

Marking：K20E60W；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK20E60W5

Marking：K20E60W5；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=110ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.15Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多K20E60W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-23 11:10:00

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