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TPESD63211N

Marking：K2P；Package：DFN1006-2；1-CHANNEL ULTRA LOW CAPACITANCE ESD DIODE

Features oLowoperatingvoltage:3.3V/ oUltralowcapacitance:0.4pF(Typ) Ultralowleakage:nAlevel oLowclampingvoltage o—IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20ps) o2-pi

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

TSB952IQ2T

Marking：K2P；Package：DFN83x3WF；High bandwidth (52 MHz), rail-to-rail output, 36 V op amp

Features ?Lowoffsetvoltage:3mVmax@25°C ?Lowcurrentconsumption:3.3mAmax/op@36V ?Widesupplyvoltage:4.5to36V ?Gainbandwidthproduct:52MHztyp.@36V ?Unitygainstable ?Rail-to-railoutput ?Outputcurrent:40mAtyp.@36V ?Inputcommon-modevoltageinclud

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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專注Mini射頻微波全系列,只做原裝正品,現(xiàn)貨庫存
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9000
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NA
5000
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更多K2P供應商 更新時間2025-4-7 16:40:00

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