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KHB4D5N60P中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

KHB4D5N60P
廠商型號(hào)

KHB4D5N60P

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.08669 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-21 19:54:00

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KHB4D5N60P規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    KHB4D5N60P

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VBsemi
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