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MTP2N60

TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP2N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP2N60E

TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP2N60E

N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage?blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE?FETisdesignedtowithstandhi

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP2N60E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP2N60E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NDT2N60

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

NDT2N60P

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

NJ2N60

2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ2N60

2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    L2N60D

  • 制造商：

    LRC

  • 制造商全稱：

    Leshan Radio Company

  • 功能描述：

    600V N-Channel MOSFET Low gane charge

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
LRC/樂山
23+
TO-220
18000
原裝正品假一罰百!可開增票!
 詢價(jià)
LRC/樂山
22+
TO-220
50000
原裝正品.假一罰十
 詢價(jià)
LRC/樂山
25+
TO-220
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
LRC
23+
SC89
45000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
LRC/樂山
24+
SC89
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢價(jià)
LRC/樂山
23+
SC89
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
LRC
22+
SC89
4546
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
LRC/樂山
23+
SC89
50000
原裝正品 支持實(shí)單
 詢價(jià)
LRC
23+
SOT23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
LRC
2110+
SOT23
3000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
更多L2N60D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-11 9:02:00

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