LET9150分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
LET9150 |
參數(shù)屬性 | LET9150 封裝/外殼為M246;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 80V 20A M-246 |
功能描述 | RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
封裝外殼 | M246 |
文件大小 |
325.07 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-21 10:12:00 |
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LET9150規(guī)格書詳情
LET9150屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的LET9150晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The LET9150 is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2 GHz.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration push-pull
■ POUT = 150 W with 20 dB gain @ 860 MHz
■ BeO-free package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
LET9150
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
860MHz
- 增益:
20dB
- 額定電流(安培):
20A
- 功率 - 輸出:
150W
- 封裝/外殼:
M246
- 供應(yīng)商器件封裝:
M246
- 描述:
MOSFET N-CH 80V 20A M-246
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2025+ |
M246 |
16000 |
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詢價(jià) | ||
22+ |
NA |
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STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
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2017+ |
SMD |
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OSR |
24+ |
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M246 |
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OSRAM/歐司朗 |
2022+ |
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