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LGD8209TI

Marking:LGD8209G;Package:DPAK;410 V, 12 A N-Channel Ignition IGBT

Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver-Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.Primaryusesincludemotorbikeignition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhigh

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

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更多LGD8209G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 15:16:00