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MJE802

4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE802

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

MJE802

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJE802

PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication ?ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MJE802G

4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE802G

PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors

Thesedevicesaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBase?EmitterResistorsto LimitLeakage?Multiplication ?ChoiceofPackages?M

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE802G

NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

MJE802T

POWERTRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)

PLASTICDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. FEATURES *HighDCCurrentGain—hFE=2000(Typ)@IC=2.0A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakageMultiplicat

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MJE802T

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector–EmitterBreakdownVoltage— :V(BR)CEO=80V ?DCCurrentGain— :hFE=750(Min)@IC=2A ?ComplementtoTypeMJE702T APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speed switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MODEL802

113/16inch(46mm)TenTurnWirewoundUpperGradePrecisionPotentiometer

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJ802G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 750mA，7.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 7.5A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-204（TO-3）

  • 描述：

    TRANS NPN 90V 30A TO204

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-204
977
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
onsemi
24+
TO-204AA,TO-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ON
2020+
TO-3
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ON
2021+
TO-3
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
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ON
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N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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TO-204AA
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只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個別型號可以免費送樣品!
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TO-204(TO-3)
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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TO-3
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全新原裝優(yōu)勢
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ON
1716+
?
7500
只做原裝進口,假一罰十
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更多MJ802G供應商 更新時間2025-4-7 20:50:00

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