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MJD112-1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):MJD112-1G品牌:ON(安森美)
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
MJD112-1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商O(píng)N(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA的MJD112-1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線(xiàn)電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
MJD112-1G
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- 晶體管類(lèi)型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
20μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 2A,3V
- 頻率 - 躍遷:
25MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
I-PAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
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