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MJD2955-1G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955-1G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD2955-1G

Package：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 60V 10A IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD2955-1

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD2955-1G

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NTD2955-1G

PowerMOSFET??0V,??2A,P??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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PowerMOSFET

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD2955-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 10A IPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJD2955-1G供應(yīng)商 更新時間2025-3-16 15:30:00

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