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MJD44H11分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD44H11
廠商型號

MJD44H11
參數(shù)屬性

MJD44H11 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 8A IPAK
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

342.76 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-19 22:59:00

晶體管資料

  • 型號：

    MJD44H11

  • 別名：

    MJD44H11三極管、MJD44H11晶體管、MJD44H11晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    20

MJD44H11規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage

: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A

·Fast Switching Speeds

·Complement to Type MJD45H11

·DPAK for Surface Mount Applications

APPLICATIONS

·Designed for general purpose power amplification and

switching such as output or driver stages in applications

such as switching regulators,converters and power amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD44H11-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 4A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    85MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 8A IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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