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MJE1101中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJE1101
廠商型號

MJE1101

功能描述

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件大小

143.77 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-20 23:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    MJE1101

  • 別名:

    MJE1101三極管、MJE1101晶體管、MJE1101晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD645,BD697,BD897,BDW23A,BDW63A,FH7C,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    70

MJE1101規(guī)格書詳情

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

Designed for use in driver and output stages in complementary audio amplifier applications.

? High DC Current Gain -

hFE = 750 (Win) @ IC = 30 and 40 Adc

? True Three Lead Monolithic Construction —Emitter-Base Resistors

to Prevent Leakage Multiplication are Built in.

? Available in Two Packages - Case 90 or Case 199

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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