MR4A08BCYS35磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)

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廠家型號：
MR4A08BCYS35
產品分類：
存儲器
生產廠商：
EVERSPIN
庫存數量：
900
產品封裝：
TSOP2-44
生產批號：
2150+
庫存類型：
現貨庫存
更新時間：
2024-8-12 14:39:00

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詳細信息
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原廠料號：MR4A08BCYS35品牌：EVERSPIN

磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)

MR4A08BCYS35是集成電路（IC） > 存儲器。制造商EVERSPIN/Everspin Technologies Inc.生產封裝TSOP2-44/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的MR4A08BCYS35存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
MR4A08BCYS35
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
EVERSPIN詳情
廠商全稱：
Everspin Technologies Inc.
內容頁數：
15 頁
文件大?。?/span>
839.51 kb
資料說明：
2M x 8 MRAM Memory

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MR4A08BCYS35
制造商：
Everspin Technologies Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
RAM
技術：
MRAM（磁阻式 RAM）
存儲容量：
16Mb（2M x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
35ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝：
44-TSOP2
描述：
IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2

供應商

企業(yè)：
深圳市鴻瑞鑫科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
侯先生
手機：
13717016556
詢價：
電話：
0755-82510221
傳真：
0755-83349417
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場6504B

MR4A08BCYS35磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)

MR4A08BCYS35

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