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MRF1511NT1_08中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF1511NT1_08
廠商型號

MRF1511NT1_08

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

文件大小

471.04 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 22:30:00

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MRF1511NT1_08規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 175 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.

? Specified Performance @ 175 MHz, 7.5 Volts

Output Power — 8 Watts

Power Gain — 13 dB

Efficiency — 70

? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive

Features

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF1511NT1_08

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FREESCA
24+
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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24+
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30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
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NXP/恩智浦
21+
HVQFN32
8080
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22+
PLD-1.5
9000
原裝正品
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24+
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本站現(xiàn)庫存
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1708+
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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PLD-1.5
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